Infineon представляє нові діоди Шотткі CoolSic для бортових додатків зарядних пристроїв

0
455


1 бал2 бали3 бали4 бали5 балів6 балів7 балів8 балів9 балів10 балів (1 голос(-ів), середній бал: 10.00 з 10)

Нові діоди CoolSiC від Infineon Technologies розроблені з метою підвищення надійності і ефективності, щоб відповідати високим вимогам, що пред’являються до гібридних і електричних транспортних засобів. Представники компанії Infineon кажуть, що ці діоди є найбільш довговічними на ринку через їх високу стійкість до корозії і вологості. У вересні компанія випустить CoolSiC-діоди в класі 650 V. Раніше ми вже публікували інформаційну статтю, що являє собою практичне керівництво по ремонту сонячної панелі, яка вийшла з ладу через проблеми з діодами Шотткі .

діод ШотткіПоліпшення діодів Шотткі п’ятого покоління від Infineon, іменованих діодами CoolSiC, призвело до підвищення показників продуктивності і до більш низьких втрат потужності. Це пов’язано з їх особливими пластинами, що мають товщину 110 мкм. Вони здатні підвищити загальну ефективність. Діоди також підвищують ефективність бортових зарядних пристроїв (OBC) на один відсоток у порівнянні з іншими діодами Silicon Rapid, а їх 3-контактний пакет TO247 призначений для простої інтеграції в кожну систему OBC.

«Технологія SiC вже досить зріла, так що можна її широко використовувати в автомобільних системах, – говорить віце-президент Infineon Automotive High Power VP Зизала Стефан. «Запуск чергового покоління діодів сімейства CoolSiC Schottky – це новий щабель в розгортанні кейса продукції Infineon SiC, призначеної спеціально для бортових зарядних пристроїв, DC / DC-перетворювачів і інверторних систем».

Цей стрибок є лише частиною недавньої тенденції Infineon до збільшення досліджень і зростання.

Раніше вже з’являлася інформація про те, що фахівець з напівпровідників Infineon Technologies оголосив про плани по створенню повністю автоматизованого нового об’єкта в Австрії. Новий завод буде доповнювати існуючий об’єкт Infineon в Філласі. Виробництво буде зосереджено на виготовленні 300-міліметрових силових напівпровідників. Компанія Infineon має намір вкласти 1,6 мільярда доларів США в завод протягом наступних 6 років.

«Глобальна потреба в силових напівпровідниках зростає», – заявив виконавчий директор компанії Рейнхард Плосс. «Ми намітили цю тенденцію на ранньому етапі розвитку компанії і стрімко розширюємо виробничі потужності для 300-міліметрової технології на нашому заводі, який знаходиться в місті Дрезден. Новий об’єкт в Філласі допоможе нам задовольнити зростаючу потребу і задовольнити запити і очікування наших клієнтів».

НАПИСАТИ ВІДПОВІДЬ

Увійти за допомогою: 
Please enter your comment!
Please enter your name here

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.